AlN薄膜相关论文
近些年温度传感器的发展很迅速,随着在一些恶劣、特殊环境中检测需求的提出,有源有线的传感器容易受到约束。例如在高速运转的物体......
Al N拥有宽带隙、高击穿场强、好的热稳定性等优良特性,能够应用于制备高温、高功率电子器件、深紫外光电器件、声表面波器件和压......
在5G通信时代，体声波（BAW）滤波器件成为实现高性能射频（RF）滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术和......
AlN薄膜是第三代半导体材料,具有带隙宽、优良的声波特性、高热导率、优异的稳定性等特点,在光电、医学等多领域都非常有应用前景......
AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情......
随着我国航空航天事业的蓬勃发展,对飞行器的发动机等关键部位的实时温度监测需求越来越多。声表面波传感器（SAW）具有结构小、性能优......
利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10Ω,绝......
氮化铝(AlN)薄膜在表面声波器件(SAW)中应用广泛[1],其表面形貌和微观结构对SAW 器件的性能有重要影响；而高功率脉冲磁控溅射(HiPIM......
利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层, 用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜, 得到应力小裂纹少的外延材料。实验......
采用射频反应磁控溅射系统，在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜，通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下......
蓝宝石上生长AlN薄膜材料在紫外探测器、紫外发光二极管、紫外激光器和高频大功率高电子迁移率器件等光电器件中有重要的应用。目......
应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜。研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,......
AlN薄膜属于第三代半导体材料中非常有商业潜力的一种超宽带隙的半导体材料。它兼具多种优异的物理性能,应用领域也非常广泛。本文......
氮化铝（AlN）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,广泛应用于多种器件中。AlN薄膜具有宽带隙、高温稳定性等特点,可作为紫外光电......
航空发动机涡轮叶片表面温度及其分布的精准测量对发动机的设计、试验和维护等环节至关重要。晶体测温方法具有尺寸小、精度高、可......
宇宙微波背景辐射以后宇宙空间近一半的光子能量集中在太赫兹波段,因此该波段的天文观测和研究已成为现代天体物理的前沿领域之一......
采用射频磁控溅射法,通过改变工艺参数在n型(100)Si片上制备了表面粗糙度小、以(100)面择优取向的AlN薄膜。研究了高温退火、N2结......
采用直流磁控溅射的方法,分别在Si(111)和玻璃基片上沉积AlN薄膜.利用X射线衍射仪、X射线能谱仪、台阶仪、原子力显微镜、分光光度......
采用磁控溅射方法,在高纯氩气和氮气混合气氛下成功制备出Al(W)-AlN系太阳能选择性吸收薄膜。借助吸收光谱分析,比较了Al、W两种反......
实验采用石英玻璃衬底,首先使用离子束溅射方法在玻璃上溅射沉积140nmAlN缓冲层,随后使用MOCVD方法继续在AlN缓冲层上高温外延GaN......
采用射频磁控溅射的方法在硅沉底上沉积Ni掺杂的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、扫描电镜、光致发光谱等方法......
介绍ALN薄膜体声波(FBAR)传感器的原理以及信号处理电路的原理,着重设计了传感器的频率检测电路.频率检测电路采用VHDL语言对......
压电薄膜体声波传感器因其具有灵敏度高、尺寸小、易于集成等优点代表了未来传感器的发展方向。体声波传感器用于液体检测时，以......
本文介绍了采用共溅法制备Ti掺杂AlN薄膜的方法，并通过X射线衍射(X-ray diffraction ， XRD)进行表征。......
AlN薄膜择优取向对其性能和应用具有重要影响。采用直流磁控溅射沉积技术制备高度取向的AlN薄膜。通过建立薄膜择优取向的XRD表征......
AlN薄膜具有很多优异的性能,在声电、光电等方面运用很广泛。制备AlN薄膜的技术种类很多,本文采用直流反应磁控溅射在Si(111)衬底......
ZnO薄膜在c轴方向具有较低有效介电常数、较高机电耦合系数，但是声表面波波速较低;AlN薄膜虽然具有较高的声表面波速，但是介电常数和......
采用一维Mason模型，探讨体声波谐振器的频率特性，研究压电薄膜AlN、电极和声反射层膜厚对谐振频率的影响，优化谐振器的电学性能，为设计......
磁致伸缩材料与压电材料复合而成的磁电复合材料能够实现磁场-电场能量的双向转换,具有显著的磁电耦合效应,在微波领域、高压输电......
场发射平板显示器(field emission display, FED)因其卓越的性能而越来越受到关注。FED的关键技术是场发射阴极阵列的制备。而目前......
AlN薄膜具优异的物理化学性质，在光学、电学、力学和声学等方面有广阔的应用前景。尤其是(002)取向的AlN薄膜具有表面声波速率高，压......
学位
氮化铝(AlN)薄膜优异的物理化学性能使得它在电子、光电子、声表面波等领域有着广阔的应用前景，因而受到了人们的广泛关注。本论文......
该论文围绕高质量SiC和AlN薄膜的的制备与物理性质的研究,并结合全国自然科学基金项目、上海市启明星计划项目以及与瑞典皇家工学......
系统研究了利用脉冲激光沉积技术制备氮化铝(AlN)薄膜的工艺，通过优化生长参数，制备了具有较高质量的AlN薄膜，并对部分样品进行了后退......
高Al组分AlGaN(Al组分大于40％)是制备深紫外发光和探测器件不可替代的半导体体系。在白光照明、消毒净化、生化检测、紫外日盲探测......
射频磁控反应溅射法制膜性能优良,膜结构致密,可以达到较高的纯度,并且成膜温度低.作者用此法在普通钢、不锈钢、硅片等不同衬底上......
本文采用磁控溅射的方法，在不同的条件下制备出了c轴定向的纤锌矿型结构的AlN：Ln(Ln=Tb、Eu、Er、Tm、Sm、Dy)多晶薄膜。颗粒平均晶......
超导隧道结(SIS)混频技术以极低的接近量子极限的噪声温度和宽的瞬时带宽，成为0.1-1THz频段灵敏度最高的检测技术。目前超导SIS接收......
该文首先介绍了宽带隙半导体中基本光学过程,着重分析了能带带间包括能带带尾之间的跃迁,还介绍了其晶格振动和拉曼散射特性,同时......
解决SOI(Silicon on Insulator)器件的“自加热效应”，制备出具有高热导率的绝缘薄膜是科研工作者研究的一个重要方向。本文在综述......
利用电子浴辅助阴极电弧源活性反应离子镀法 ,在 Si、Mo和不锈钢等基材上合成 Al N薄膜 ;采用 SEM、XRD及 IR对薄膜的表面形貌、晶......
